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AON6236-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- AON6236 N沟道MOS管选用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代精密电子设备量身打造。器件支持40V的最大漏源电压(VDSS)，提供高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流传导能力。尤为突出的是其优秀的导通电阻性能，仅有6.9mΩ(RD(on))，显著降低了系统损耗，提高了能效比。这款MOS管广泛应用于各类高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，是工程师追求卓越性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- AON6236-HXY
- 商品编号
- C22366800
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
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