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AON6236-HXY

1个N沟道耐压:40V 电流:70A

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描述: AON6236 N沟道MOS管选用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为现代精密电子设备量身打造。器件支持40V的最大漏源电压(VDSS)，提供高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流传导能力。尤为突出的是其优秀的导通电阻性能，仅有6.9mΩ(RD(on))，显著降低了系统损耗，提高了能效比。这款MOS管广泛应用于各类高效电源转换、电机驱动和电池管理系统，是工程师追求卓越性能的理想半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6236-HXY
商品编号: C22366800
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12725克(g)

商品参数

AO4406A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。