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DMP510DL-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.1A
- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为0.1A，适合小电流应用场景。电压50V，能在特定电压环境下稳定工作。内阻典型值2000mR。VGS为20V。可应用于消费电子产品中低功率的部分，对电流进行精准控制，确保电压稳定。
- 商品型号
- DMP510DL-HXY
- 商品编号
- C22366796
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- SI7848BDP-T1-E3-HXY
- SI7848BDP-T1-GE3-HXY
- SM6442D1RL-HXY
- AON6236-HXY
- CSD18504Q5A-HXY
- NTMFS5C468NL-HXY
- SIR426DP-T1-GE3-HXY
- NVMFS5834NL-HXY
- NVMFS5C466N-HXY
- NVMFS5C468NL-HXY
- IRL6372PBF-HXY
- FDN5618P-HXY
- AOD424-HXY
- IRLR6225-HXY
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
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- STP4435-HXY
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- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
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