温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP510DL-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为0.1A，适合小电流应用场景。电压50V，能在特定电压环境下稳定工作。内阻典型值2000mR。VGS为20V。可应用于消费电子产品中低功率的部分，对电流进行精准控制，确保电压稳定。
- 商品型号
- DMP510DL-HXY
- 商品编号
- C22366796
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
DMP510DL采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -50 V，漏极电流（ID） = -0.1 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5 Ω
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6 Ω
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- SI7848BDP-T1-E3-HXY
- SI7848BDP-T1-GE3-HXY
- SM6442D1RL-HXY
- AON6236-HXY
- CSD18504Q5A-HXY
- NTMFS5C468NL-HXY
- SIR426DP-T1-GE3-HXY
- GKI04076-HXY
- NVMFS5834NL-HXY
- NVMFS5C466N-HXY
- NVMFS5C468NL-HXY
- DMG4822SSD-HXY
- DMT3020LSD-HXY
- IRL6372PBF-HXY
- ZXMN3A04DN8-HXY
- FDN5618P-HXY
- AOD424-HXY
- AOD424G-HXY
- IRLR6225-HXY
- DMT69M8LSS-HXY
- SQ4470EY-HXY