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SI7848BDP-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- SI7848BDP-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封装，专为高效能、低损耗的电源转换和电机驱动应用设计。该器件具有40V的最大工作电压VDSS，能够处理高达60A的连续电流，且导通电阻低至6.9mR，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效表现。
- 商品型号
- SI7848BDP-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366797
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMS3016SSSA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 15 A
- RDS(ON) < 10 mΩ（VGS = 10 V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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