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IRF7805PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF7805PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。器件具有30V的最大工作电压VDSS，可以承载高达13A的连续电流，其亮点在于超低的导通电阻RD(on)，仅为9.5mR，显著降低功率损耗并提高系统整体能效。这款MOS管凭借其卓越的电气性能和空间优化封装，成为中低压开关电路的理想组件。
- 商品型号
- IRF7805PBF-HXY
- 商品编号
- C22366790
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMC4029SK4采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 24mΩ
- VDS = -40V，ID = -20A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- TO-252-4L
- (TO-252-4)
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET
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