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SI4410DYPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- SI4410DYPbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装，尤其适合于高效率电源转换、电机驱动等应用。该器件具有30V的最大工作电压VDSS，可承受高达13A的连续电流，并且具有极低的导通电阻RD(on)-仅9.5mR，确保在大电流操作时仍能维持高能效和低功耗。凭借其出众的电气性能与紧凑设计，SI4410DYPbF 成为中低压开关电路的理想之选。
- 商品型号
- SI4410DYPBF-HXY
- 商品编号
- C22366793
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.616nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 162.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207.8pF |
商品概述
FDS6690AS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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