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STN4402-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- STN4402 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率电源转换、电机驱动等应用设计。该器件具备30V的最大工作电压VDSS，可流畅处理高达13A的连续电流，并以9.5mR的超低导通电阻RD(on)脱颖而出，确保在大电流工况下依然保持出色的能效和低功耗。这款MOS管凭借卓越的电气性能和小型化封装，成为中低压开关电路的理想组件。
- 商品型号
- STN4402-HXY
- 商品编号
- C22366794
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 162.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 207.8pF |
商品概述
DMP3056LSD采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
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