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IRF8707GPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- IRF8707GPbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，特别适用于高效电源转换、电机驱动等应用。器件具有30V的最大工作电压VDSS，能承载高达13A的连续电流，并且拥有仅为9.5mR的超低导通电阻RD(on)，在保证强大电流处理能力的同时，极大程度地降低了功耗，提升了系统能效。这款MOS管凭借出色的电气性能和紧凑型封装设计，是中低压开关电路的理想选择。
- 商品型号
- IRF8707GPBF-HXY
- 商品编号
- C22366791
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
- IRF8707PBF-HXY
- SI4410DYPBF-HXY
- BSS84Q-HXY
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