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SM4807PRL-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- SM4807PRL 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装形式，专为现代电子设备提供强劲的功率控制能力。其主要特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能持续处理5.3A的漏极电流，确保稳定高效的电流传输；导通电阻RD(on)低至35mΩ，有效降低系统损耗，提升能效比。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- SM4807PRL-HXY
- 商品编号
- C22366784
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AO4803A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
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