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FDS6690AS-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6690AS-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:15A

描述
FDS6690AS 是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP-8封装形式,专注于提供高效能的电源转换和电机驱动解决方案。其主要特性包括最大工作电压VDSS为30V,能够承载高达13A的连续电流,同时具备令人瞩目的低导通电阻RD(on),仅仅为9.5mR,确保在大电流运行时仍然保持卓越的能效和低损耗表现。这款MOS管凭借出色的电气参数和紧凑封装设计,成为中低压开关电路应用的理想之选。
商品型号
FDS6690AS-HXY
商品编号
C22366789
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.114286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)583pF
反向传输电容(Crss)59pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)77pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF