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FDS6690AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- FDS6690AS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，专注于提供高效能的电源转换和电机驱动解决方案。其主要特性包括最大工作电压VDSS为30V，能够承载高达13A的连续电流，同时具备令人瞩目的低导通电阻RD(on)，仅仅为9.5mR，确保在大电流运行时仍然保持卓越的能效和低损耗表现。这款MOS管凭借出色的电气参数和紧凑封装设计，成为中低压开关电路应用的理想之选。
- 商品型号
- FDS6690AS-HXY
- 商品编号
- C22366789
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF8707PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 15A
- 在栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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