FDS89161LZ-HXY
2个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- FDS89161LZ 是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用SOP-8封装,特别适用于高功率密度和高效能的电子设计。该器件拥有100V的最大工作电压VDSS,可承受高达8A的连续电流,同时具备出色的导通性能,导通电阻低至100mR(RD(on)),大大提升了系统能效。这款MOS管在电源转换、电机驱动及高压开关应用中表现出色,是工程师们追求卓越性能的理想选择。
- 商品型号
- FDS89161LZ-HXY
- 商品编号
- C22366785
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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