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FDS89161LZ-HXY
2个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- FDS89161LZ 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，特别适用于高功率密度和高效能的电子设计。该器件拥有100V的最大工作电压VDSS，可承受高达8A的连续电流，同时具备出色的导通性能，导通电阻低至100mR（RD(on)），大大提升了系统能效。这款MOS管在电源转换、电机驱动及高压开关应用中表现出色，是工程师们追求卓越性能的理想选择。
- 商品型号
- FDS89161LZ-HXY
- 商品编号
- C22366785
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4801A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
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