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FDS6294-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- FDS6294 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济实用的SOP-8封装，专为高效率电源转换、电机驱动等领域设计。器件亮点包括最大工作电压VDSS高达30V，可承载大电流13A，且具有极低的导通电阻RD(on)——仅9.5mR，有效减少功率损耗，提升整体能效。此款MOS管以出色的电气性能和紧凑封装，成为了中低压开关电路的理想组件。
- 商品型号
- FDS6294-HXY
- 商品编号
- C22366788
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
- IRF7805PBF-HXY
- IRF8707PBF-HXY
- SI4410DYPBF-HXY
- BSS84Q-HXY
- SI7848BDP-T1-E3-HXY
- SI7848BDP-T1-GE3-HXY
- SM6442D1RL-HXY
- AON6236-HXY
- CSD18504Q5A-HXY
- NTMFS5C468NL-HXY
- SIR426DP-T1-GE3-HXY
- NVMFS5834NL-HXY
- NVMFS5C466N-HXY
- NVMFS5C468NL-HXY
- IRL6372PBF-HXY
- FDN5618P-HXY
- AOD424-HXY
- IRLR6225-HXY
- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY
- IRF7805PBF-HXY
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- BSS84Q-HXY
- SI7848BDP-T1-E3-HXY
- SI7848BDP-T1-GE3-HXY
- SM6442D1RL-HXY
- AON6236-HXY
- CSD18504Q5A-HXY
- NTMFS5C468NL-HXY
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- SI4431CDY-T1-E3-HXY
- AO4405-HXY
- SI9435BDY-T1-E3-HXY