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IRFR9020TRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- IRFR9020TRPBF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于电源转换、电机控制和其他高效率电路设计。该器件具有60V的额定电压VDSS，能够承载高达10A的连续电流，并展现出极低的导通电阻RD(on)——125mR，从而最大限度地减少了功率损耗，提升了整体系统效能。得益于其出色的电气规格和可靠性能，IRFR9020TRPBF 是中低压应用的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRFR9020TRPBF-HXY
- 商品编号
- C22366780
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRFR9020TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -10 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源