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AO4803A-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- AO4803A 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，适用于各类电子设备。该器件的关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V，能提供稳定的5.3A漏极电流；其35mΩ的导通电阻RD(on)设计，有效降低系统功耗，实现高效能运作。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关控制等领域，是您构建高可靠性、节能型电子系统的理想MOS管选择。
- 商品型号
- AO4803A-HXY
- 商品编号
- C22366781
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RFD16N05LS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源