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STP607D-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STP607D-HXY

耐压:60V 电流:10A

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描述
STP607D 是一款高性能P沟道MOSFET,采用业界标准TO-252-2L封装,适应性强且易于集成。其核心参数包括最大工作电压VDSS高达60V,可承受10A连续电流,而导通电阻仅为125mR,旨在实现更低的能耗和更高的工作效率。这款MOS管以其优秀的开关性能和耐用性,广泛应用于电源转换、电机驱动及各类中低压开关电路,是现代电子设计的理想元件之一。
商品型号
STP607D-HXY
商品编号
C22366775
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.381818克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)5.85nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

AUIRFR9024N采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -10A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 140mΩ

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF