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STD10PF06-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流为15A，可满足一定功率需求。电压60V，能在特定电路环境稳定运行。内阻典型值95mR，能量损耗较高。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的小型电子设备中。
- 商品型号
- STD10PF06-HXY
- 商品编号
- C22366777
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
STD10PF06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -10A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 140 mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源