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IRF7101PBF-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 型号IRF7101PbF 的N+N沟道MOS管采用标准SOP-8封装，适合于广泛应用的电路板布局。该器件具备20V的额定电压VDSS，能够支持稳定的4A连续电流ID，保证了在中等功率条件下的稳定运行。其导通电阻RD(on)为45mΩ，提供了良好的系统效率表现。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、逻辑电平转换等领域，是构建高效、可靠电子设备的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRF7101PBF-HXY
- 商品编号
- C22366756
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN6040SK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 20 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源