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IRFR4105PBF-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- IRFR4105PbF 的N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，适合于广泛的电源管理和电机驱动应用。该器件具备60V的额定电压VDSS和20A的连续电流ID处理能力，保证在高电压条件下稳定运行。其导通电阻RD(on)仅为27mΩ，有助于提升整体系统能效，减少功率损耗。这款MOS管凭借卓越的性能表现，被广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具中，是高效能电子设计的理想组件。
- 商品型号
- IRFR4105PBF-HXY
- 商品编号
- C22366766
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
DMP6185SK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V ID = -10A
- RDS(ON) < 140mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 无刷电机-负载开关-不间断电源