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IRLR2705PBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 型号IRLR2705PbF 的N沟道MOS管采用行业标准的TO-252-2L封装，适用于各类高效率电源控制和电机驱动应用。该器件提供60V的额定电压VDSS，可以安全稳定地处理高达20A的连续电流ID。其导通电阻RD(on)低至27mΩ，有利于提升系统效率，减少能源浪费。这款MOS管因其出色的性能和可靠性，广泛应用于电源转换器、马达驱动、充电设备等领域，是您构建高性能电子设备的优选组件。
- 商品型号
- IRLR2705PBF-HXY
- 商品编号
- C22366767
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRLR024NTRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源