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IRLR024NTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- IRLR024NTRPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用封装TO-252-2L，专为紧凑高效电路设计打造。此款器件提供60V的额定电压VDSS，以及强大的20A连续电流ID，确保出色的电力传输性能。尤其值得注意的是，其优异的导通电阻RD(on)低至27mΩ，大大降低了系统内部功耗，提升了整体能效。是您实现电源管理、优化电路性能的理想半导体组件选择。
- 商品型号
- IRLR024NTRPBF-HXY
- 商品编号
- C22366770
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |