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NTD20P06L-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD20P06L-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:10A

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描述
这款场效应管为P型,电流15A,可满足一定功率需求。电压为60V,适用于多种常见电路场景。内阻典型值95mR,能在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备。
商品型号
NTD20P06L-HXY
商品编号
C22366772
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.382273克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.85nC@4.5V
输入电容(Ciss)715pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)51pF

商品概述

IRFR4105PBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60 V
  • ID = 20 A
  • RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF