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NTD5867NLT4G-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- NTD5867NLT4G N沟道MOS管采用经济高效的TO-252-2L封装，适用于各类电源控制和电机驱动应用。器件规格强大，具备60V的额定电压VDSS，能稳定处理高达20A的连续电流ID。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为27mΩ，旨在提升能源转换效率，降低系统损耗。这款MOS管凭借其卓越的性能表现，广泛应用于电源转换器、马达驱动、开关调节器等领域，是您构建高性能电子设备的得力助手。
- 商品型号
- NTD5867NLT4G-HXY
- 商品编号
- C22366763
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NTD5867NLT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60 V，漏极电流 = 20 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源