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TPS1120-HXY
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 这款P+P型场效应管提供4A的电流承载能力及20V的最大工作电压，适用于非工业领域。其内阻典型值为85mΩ，有助于降低能量损耗。12V的VGS阈值电压确保了在多种应用中的稳定性能。该元件非常适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及便携式设备中，确保了在这些应用场景中的卓越表现和可靠性。
- 商品型号
- TPS1120-HXY
- 商品编号
- C22366757
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V；95mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
BSZ0904NSI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源