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TPS1120-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPS1120-HXY

2个P沟道 耐压:20V 电流:4A

描述
这款P+P型场效应管提供4A的电流承载能力及20V的最大工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为85mΩ,有助于降低能量损耗。12V的VGS阈值电压确保了在多种应用中的稳定性能。该元件非常适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及便携式设备中,确保了在这些应用场景中的卓越表现和可靠性。
商品型号
TPS1120-HXY
商品编号
C22366757
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.115克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)325pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)60pF

数据手册PDF