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IRF7104PBF-HXY
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 型号IRF7104PbF 的2个P沟道沟道MOS管采用SOP-8封装，适用于各类电子设备的标准化安装。该器件具有20V的额定电压VDSS，可承载3A连续电流ID，确保在中等电压和电流条件下的高效稳定运行。其导通电阻RD(on)为85mΩ，虽相对较高但仍能满足部分中低频开关应用需求。这款MOS管常用于电源管理、负载开关、逆变器以及其他需要功率切换的场景，是您设计可靠电子系统的实用组件之一。
- 商品型号
- IRF7104PBF-HXY
- 商品编号
- C22366758
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V；95mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRF7101PBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场合。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 4A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源