温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD8424H-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号FDD8424H 的N+P沟道MOS管采用经典封装TO-252-4L，为各类电子设备提供稳固的功率解决方案。器件具备40V的额定电压VDSS和20A的大电流承载能力，确保在高压大电流应用中的稳定表现。尤其值得注意的是，其导通电阻RD(on)仅为18mΩ，有效提升了能源利用效率，减少损耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、功率转换等领域，是构建高效节能系统的关键组件。
- 商品型号
- FDD8424H-HXY
- 商品编号
- C22366760
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
FDD8424H采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 24mΩ
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -20A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 38mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机