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BSZ0904NSI-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- BSZ0904NSI 是一款高强度N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V，峰值漏极电流(ID)高达100A，显示出超强电流处理能力；而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on))，确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
- 商品型号
- BSZ0904NSI-HXY
- 商品编号
- C22366753
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC8854采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- RDS(ON) < 5.5mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源