温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDV1542-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 型号MDV1542 的N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，特别适合于高密度电路板布局和空间有限的应用场景。该器件具有30V的额定电压VDSS，能够稳定传输高达100A的连续电流，展现了卓越的电力处理性能。其亮点在于仅为4mΩ的超低导通电阻RD(on)，极大地提升了系统能效，降低了功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- MDV1542-HXY
- 商品编号
- C22366754
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMN3009LFVW采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源