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FDMC8651-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 型号FDMC8651 的N沟道MOS管，以紧凑型DFN3X3-8L封装呈现，专为现代电子产品的小型化与高性能要求设计。此器件具备强大功能，额定电压VDSS高达30V，可承载最大连续电流ID达到100A，保证在高负荷条件下的稳定运行。其亮点在于仅有4mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高了功率转换效率，降低功耗，是电源管理、高速开关电路、马达驱动等领域的理想选择，助您轻松实现高效能的电路设计。
- 商品型号
- FDMC8651-HXY
- 商品编号
- C22366751
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
IRLR8726PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 100 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源