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FDMC8854-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 型号FDMC8854 的N沟道MOS管采用现代化DFN3X3-8L封装，小巧身形满足各类紧凑型电路设计需求。这款器件性能强劲，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID可达100A，即使在高电压大电流环境下也能展现卓越的稳定性。其引人瞩目的特点是仅4mΩ的极低导通电阻RD(on)，大大提升了整体系统的能效比，降低损耗，广泛适用于电源转换、电机驱动、快速开关控制等众多领域，是打造高性能电子产品的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- FDMC8854-HXY
- 商品编号
- C22366752
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
SI4447DY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V，ID = - 13A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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