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PSMN4R3-30BL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款MOS管型号为PSMN4R3-30BL ，采用高效能的N沟道设计，封装形式为紧凑型TO-252-2L，适合各类电路板空间需求。其核心参数出色，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID可达100A，确保稳定工作流。尤为突出的是，其导通电阻仅为3.8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率，是电源转换、电机驱动等应用的理想选择。
- 商品型号
- PSMN4R3-30BL-HXY
- 商品编号
- C22366749
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |