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FDMC7680-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- FDMC7680 是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。
- 商品型号
- FDMC7680-HXY
- 商品编号
- C22366740
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMC7680采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源