温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7114DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI7114DN-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS)，在低至6mR的导通电阻(RD(on))条件下，可承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借其卓越的电流处理能力和能效表现，成为您优化系统性能和节能的重要半导体元件。
- 商品型号
- SI7114DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366743
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC7680采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源