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IRLR8726PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下，可承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用在开关电源等领域，以其卓越的电流处理能力和高效能表现，成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRLR8726PBF-HXY
- 商品编号
- C22366745
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
SM4146T9RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源