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SM4146T9RL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- SM4146T9RL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流、低损耗应用设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，并能在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，凭借其卓越的电流承载能力和能效表现，成为优化系统性能、节能降耗的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM4146T9RL-HXY
- 商品编号
- C22366746
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |