温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD516-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流、低阻抗应用设计。器件提供30V的漏源电压(VDSS)，在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域，凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现，是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。
- 商品型号
- AOD516-HXY
- 商品编号
- C22366744
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |