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AOD516-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流、低阻抗应用设计。器件提供30V的漏源电压(VDSS)，在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域，凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现，是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。
- 商品型号
- AOD516-HXY
- 商品编号
- C22366744
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOD516采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 30 V，漏极电流 (ID) = 100 A
- 栅源电压 (VGS) = 10 V时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源