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RQ3E130MN-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款N型场效应管支持60A的连续电流和30V的最大工作电压。其典型内阻低至6毫欧，有助于减少能量损耗。适用于20VVGS阈值电压的应用环境，此元件非常适合用于电源管理、信号调节以及中高功率开关电路，在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
- 商品型号
- RQ3E130MN-HXY
- 商品编号
- C22366742
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDS4685采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V，ID = - 13A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP-8 (SO-8)
- P沟道MOSFET