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IRFH3702PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- IRFH3702PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，满足现代化小型化电路设计要求。其拥有30V的最大漏源耐压(VDSS)，具备强大瞬态响应能力，可持续提供高达60A的漏极电流(ID)。尤为突出的是，导通电阻仅6mΩ(RD(on))，显著降低功率损耗，确保在大电流运行环境下也能保持高效能表现。本产品广泛适用于电源转换、马达驱动、高频开关等领域，为高端电子产品提供强劲动力支持。
- 商品型号
- IRFH3702PBF-HXY
- 商品编号
- C22366741
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFH3702PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 35A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源