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SI4447DY-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高功率和高效率应用设计。器件拥有40V的漏源电压(VDSS)，并能在仅仅14mR的导通电阻(RD(on))下，安全承载高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，此款MOS管凭借其出色的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您提升系统效能和节能的关键元件。
- 商品型号
- SI4447DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366736
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STN8882D采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源