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DMG9926UDM-HXY实物图
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DMG9926UDM-HXY

环保标识
  • 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A

  • 描述

    DMG9926UDM 是一款N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23-6L封装,专为高效率、小尺寸电路设计。器件提供20V的漏源电压(VDSS),每通道在22mR的导通电阻(RD(on))下,可分别承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于DC-DC转换器、多路负载开关、电源管理等领域,凭借其出色的电流处理能力和双通道设计,极大地提升了系统性能和集成度。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    DMG9926UDM-HXY
  • 商品编号

    C22366738
  • 商品封装

    SOT-23-6L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.0335克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
属性参数值
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-

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