DMG9926UDM-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
描述
DMG9926UDM 是一款N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23-6L封装,专为高效率、小尺寸电路设计。器件提供20V的漏源电压(VDSS),每通道在22mR的导通电阻(RD(on))下,可分别承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于DC-DC转换器、多路负载开关、电源管理等领域,凭借其出色的电流处理能力和双通道设计,极大地提升了系统性能和集成度。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMG9926UDM-HXY商品编号
C22366738商品封装
SOT-23-6L包装方式
编带
商品毛重
0.0335克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
梯度
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原价
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5+¥0.295715¥0.3479
50+¥0.28883¥0.3398
150+¥0.28424¥0.3344
500+¥0.27965¥0.329¥987
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