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DMG9926UDM-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管支持6A的连续电流和20V的最大工作电压。其典型内阻为22毫欧，有助于减少能量损耗。适用于10VVGS阈值电压的应用环境，此元件非常适合用于信号调节、电源管理和低至中功率开关电路，在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
- 商品型号
- DMG9926UDM-HXY
- 商品编号
- C22366738
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |