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DMG9926UDM-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管支持6A的连续电流和20V的最大工作电压。其典型内阻为22毫欧，有助于减少能量损耗。适用于10VVGS阈值电压的应用环境，此元件非常适合用于信号调节、电源管理和低至中功率开关电路，在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。
- 商品型号
- DMG9926UDM-HXY
- 商品编号
- C22366738
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDN339AN采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET