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STP9527-HXY
耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- STP9527 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、高效能电子设备设计。该器件具有40V的漏源电压(VDSS)，能在14mR的低导通电阻(RD(on))下，轻松处理高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场合，凭借其卓越的电流承载能力和优异的能效表现，STP9527 成为了您优化系统性能、节能降耗的理想半导体元件。
- 商品型号
- STP9527-HXY
- 商品编号
- C22366737
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SI7114DN-T1-E3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源