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FDN339AN-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- FDN339AN 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高效能电子设计。该器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，能在仅18mR的导通电阻(RD(on))下，轻松承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，凭借其卓越的电流承载能力和优异的能效性能，成为您优化系统设计，提升整体效能的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDN339AN-HXY
- 商品编号
- C22366731
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDN028N20采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源