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FDS4685-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- FDS4685 P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件具有40V的漏源电压(VDSS)，能在14mR的超低导通电阻(RD(on))下，支持高达13A的持续漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等领域，凭借其出色的电流处理能力和卓越的能效表现，是优化系统性能和节能降耗的理想选择。
- 商品型号
- FDS4685-HXY
- 商品编号
- C22366732
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2309CDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 60V，漏极电流ID = - 2A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用