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AO4443-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- AO4443 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，适用于高功率、高效率的电子设备。器件具有40V的漏源电压(VDSS)，在导通状态下可提供13A的漏极电流(ID)，同时保持低至14mR的导通电阻(RD(on))。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，凭借卓越的电流承载能力和优异的能效表现，成为您优化系统性能、节能降耗的理想半导体元件。
- 商品型号
- AO4443-HXY
- 商品编号
- C22366734
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4443 采用了先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能够在低至 2.5V 的栅极电压下正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VDS） = - 40 伏
- 栅极电流（ID） = - 13 安培
- 当栅源电压（VGS）为 10 伏时，导通电阻（RDS(ON)）小于 19 微欧姆
应用领域
-电池保护-负载切换-不间断电源供应