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IRF7241PBF-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- IRF7241PbF 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流、高效能应用设计。器件提供40V的漏源电压(VDSS)，在14mR的低导通电阻(RD(on))下，可承载高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，凭借其强大的电流处理能力和出色的能效表现，成为您优化系统性能和降低能耗的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRF7241PBF-HXY
- 商品编号
- C22366733
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
SM2312SRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源