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SM2312SRL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- SM2312SRL N沟道MOSFET采用小巧的SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑型电路设计。器件具备20V的漏源电压(VDSS)，能在18mR的低导通电阻(RD(on))下，稳定输出高达6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源、电机驱动、高频开关电路等应用，该MOS管以其卓越的电流承载能力和优良的能效表现，成为优化系统性能、减小能耗的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM2312SRL-HXY
- 商品编号
- C22366729
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
优惠活动
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