温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN028N20-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDN028N20 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封装，专为现代高密度电子设计。器件提供20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的低导通电阻(RD(on))下，可承载高达6A的漏极电流(ID)。此款MOS管适用于开关电源转换、电机驱动、以及其他高电流应用场合，凭借其卓越的电流承载能力和优良能效表现，是您提升系统性能、降低能耗的理想选择。
- 商品型号
- FDN028N20-HXY
- 商品编号
- C22366727
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN3033LSNQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5.8A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源