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MMBF0201NL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有2.3A的电流承载能力，最高20V的工作电压，内阻典型值为48mΩ，适用于射频和通信领域。其12V的栅源极电压
- 商品型号
- MMBF0201NL-HXY
- 商品编号
- C22366710
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
SQ2309ES-T1_GE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -2A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET