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DMN3033LSNQ-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有5.8A的电流承载能力，能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为22mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于多种电路设计。该元器件具有优异的性能参数，适合用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，提升系统的稳定性和效率。
- 商品型号
- DMN3033LSNQ-HXY
- 商品编号
- C22366713
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
BSR802N采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源