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SQ2348ES-T1_GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- SQ2348ES-T1_GE3 是一款N沟道MOSFET，采用经济实用的SOT-23封装，专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS)，能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻性能，仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统，这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表现，成为您设计中的理想半导体元件。
- 商品型号
- SQ2348ES-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C22366718
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
FDN537N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷以及低至2.5V栅极电压下的正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源