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NDS0605-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- NDS0605 P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下，提供稳定的2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换、负载驱动等各种应用场景，这款MOS管凭借其优异的高压承载能力和高效能电流控制性能，成为您提升电路可靠性和效率的理想半导体元件。
- 商品型号
- NDS0605-HXY
- 商品编号
- C22366723
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |