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SI2309CDS-T1-GE3-HXY
耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- SI2309CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装，适用于空间紧凑的高效电路设计。该器件具备60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下稳定传递2A漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、电池保护电路、负载开关等场景，凭借其出色的电压耐受力与良好的电流控制特性，成为您提升系统效能和可靠性的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI2309CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366725
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |